半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：布施行夫 , 大渕美千栄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005000465
Publication number (International publication number)：2006190746
Application date： Jan. 05, 2005
Publication date： Jul. 20, 2006
Summary：

【課題】実装性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、配線基板10と、配線基板10の第1の面14に搭載された第1の半導体チップ20と、配線基板10と第1の半導体チップ20とを接着する、第1の半導体チップ20よりも大きい外形をなす第1の樹脂部30と、配線基板10の第2の面16に搭載された、第1の半導体チップ20よりも小さい第2の半導体チップ40と、配線基板10と第2の半導体チップ40とを接着する、第2の半導体チップ40よりも大きい外形をなす第2の樹脂部50とを有する。第1の半導体チップ20の外周から第1の樹脂部30の外周までの距離は、第2の半導体チップ40の外周から第2の樹脂部50の外周までの距離よりも長い。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

配線基板と、前記配線基板の第1の面に搭載された第1の半導体チップと、前記第1の面に形成されて前記配線基板と前記第1の半導体チップとを接着する、前記第1の半導体チップよりも大きい外形をなす第1の樹脂部と、前記配線基板の第2の面に搭載された、前記第1の半導体チップよりも小さい第2の半導体チップと、前記第2の面に形成されて前記配線基板と前記第2の半導体チップとを接着する、前記第2の半導体チップよりも大きい外形をなす第2の樹脂部と、を有し、前記第1の半導体チップの外周から前記第1の樹脂部の外周までの距離は、前記第2の半導体チップの外周から前記第2の樹脂部の外周までの距離よりも長い半導体装置。

IPC (1)：

H01L 23/12

FI (1)：

H01L23/12 501W

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-092609 Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (2)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-121305 Applicant：沖電気工業株式会社
両面実装構造体の製造方法及びその両面実装構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-166356 Applicant：松下電器産業株式会社

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