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J-GLOBAL ID：200903001527048780

反射防止膜の製造方法

Inventor： 佐本 典彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996241426
Publication number (International publication number)：1998064909
Application date： Aug. 22, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】アルミニウム合金膜上に形成された窒化アルミニウムが、酸化アルミニウムに変質しない製造方法の提供。【解決手段】半導体基板の絶縁膜上にアルミニウム膜を形成した後、窒素と水素の混合ガスによりアルミニウム膜表面をプラズマ処理を行う。このとき、プラズマ処理中に半導体基板を摂氏200度以上の温度に保持する。ないしは、プラズマ処理後、半導体基板を摂氏200度以上で加熱処理する。この加熱処理により形成された窒化アルミニウム膜は、大気中の水分と反応して、酸化アルミニウムに変質せず、安定な膜となる。また、窒化アルミニウムは、禁止帯幅5.9eV以上の直接遷移型物質であり、波長200nm以下の光に対して反射防止膜となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にアルミニウム合金配線を形成した後、該アルミニウム合金配線表面に窒化アルミニウム膜を形成する、ことを特徴とする反射防止膜の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ,  G02B 1/11 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/318

FI (4)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/318 A ,  G02B 1/10 A ,  H01L 21/30 574

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-299845
  
• 特開昭56-084462
  
• 特開昭59-084553