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J-GLOBAL ID：200903001534508869

多ガス反応式表面処理装置におけるガス供給装置

Inventor： 貝川 裕之
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 石井 暁夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992282812
Publication number (International publication number)：1994132275
Application date： Oct. 21, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリコンウエハーを入れた処理室1内に、ガス供給管2を介して、複数本の反応用ガス供給管4,5からの反応数を供給することによって、前記シリコンウエハーに膜を形成する場合において、膜の厚さ方向に対する膜成分の均一化を図ると共に、膜厚さを容易に制御でき、各バッチ操作ごとの膜厚さのバラツキを小さくする。【構成】 前記処理室1へのガス供給管2に、前記各反応用ガス供給管4,5からの反応ガスを当該ガス供給管2の外に放出するようにしたパージ管路7を接続すると共に、前記各反応用ガス供給管路4,5からの反応ガスを前記パージ管路7に流す第1の状態と前記処理室1に供給する第2の状態とに選択的に切り換えるための切換手段を設ける。

Claim (excerpt)：

処理室内へのガス供給管に、複数本の反応用ガス供給管を接続して成る多ガス反応式表面処理装置において、前記処理室へのガス供給管のうち前記各反応用ガス供給管路の接続部よりも下流側の部位に、前記各反応用ガス供給管からの反応ガスを当該ガス供給管の外に放出するようにしたパージ管路を接続すると共に、前記各反応用ガス供給管路からの反応ガスを前記パージ管路に流す第1の状態と前記処理室に供給する第2の状態とに選択的に切り換えるための切換手段を設けたことを特徴とする多ガス反応式表面処理装置におけるガス供給装置。

IPC (2)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/302