窒化物半導体の結晶成長方法および窒化物半導体装置並びにその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999141143
Publication number (International publication number)：2000049092
Application date： May. 21, 1999
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】窒化物半導体結晶層における転位を従来よりも減少させる窒化物半導体の結晶成長方法を提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体の結晶成長方法は、基板上に金属単結晶層を形成する工程と、金属単結晶層を窒化することによって金属窒化物単結晶層を形成する工程と、金属窒化物単結晶層上に窒化物半導体層をエピタキシャル成長する工程とを包含する。

Claim (excerpt)：

基板上に第1金属単結晶層を形成する工程と、前記第1金属単結晶層を窒化することによって金属窒化物単結晶層を形成する工程と、前記金属窒化物単結晶層上に第1窒化物半導体層をエピタキシャル成長する工程と、を包含する窒化物半導体の結晶成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 , H01L 33/00 , H01S 5/30

FI (3)：

H01L 21/203 M , H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-292320 Applicant：松下電子工業株式会社
GaN系素子用基板及びその製造方法及びGaN系素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-256229 Applicant：日立電線株式会社
半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-327259 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Growth of GaN films by hot wall epitaxty

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