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J-GLOBAL ID：200903001542457009

プラズマCVD装置およびプラズマCVD方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995168442
Publication number (International publication number)：1997022795
Application date： Jul. 04, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【目的】 大口径の被処理基板1に対し、ギャップフィル能力の高い平坦化層間絶縁膜を形成しうるプラズマCVD層間絶縁膜およびプラズマCVD方法を提供する。【構成】 プラズマ発生室10には第1のヘリコン波アンテナ12および第2のヘリコン波アンテナ14を巻回し、m=0とm=1モードのヘリコン波プラズマを合成し、プラズマ密度とそのプロファイル等を制御するとともに、プラズマ処理室20には誘導結合アンテナ21を巻回する。【効果】 被処理基板1上でのプラズマ密度やその分布が幅広く制御でき、層間絶縁膜のステップカバレッジや膜質を任意に選ぶことができ、グローバル平坦化を可能にする。誘導結合アンテナ21により、プラズマ処理室21のin-situクリーニングも可能であり、パーティクル汚染が低減される。

Claim 1：

誘電体材料からなり、開放端面と、略平坦な閉鎖端面を有するべルジャの外周に巻回したm=0およびm=1モードののうちのいずれかのヘリコン波プラズマを発生しうる第1のヘリコン波アンテナと、前記第1のヘリコン波アンテナのさらに外周に配設したソレノイドコイルアッセンブリと、前記べルジャの閉鎖端面に臨むリング状のm=0およびm=1モードの双方のヘリコン波プラズマを発生しうる第2のヘリコン波アンテナとを有するヘリコン波プラズマ発生室と、前記プラズマ発生室の前記開放端面に連接するとともに、被処理基板を載置した基板ステージを内部に配設したプラズマ処理室とを具備するプラズマCVD装置であって、前記プラズマ処理室の外周に、誘導結合アンテナを巻回したことを特徴とする、プラズマCVD装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H05H 1/46 L ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205