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J-GLOBAL ID：200903001543183859
半導体電力変換装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
猪股 祥晃
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993111674
Publication number (International publication number)：1994327266
Application date： May. 13, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】半導体素子を接続する導体のインダクタンスを減らす。【構成】P側モジュール4a,4b,4c,4dを極性を揃えて隣接列設し、これらにN側モジュール5a,5b,5c,5dの極性を揃えて対向して列設する。N側モジュール5a,5b,5c,5dのエミッタ端子を帯板状のN側エミッタ接続導体13で接続する。このN側エミッタ接続導体13の外側に僅かな空隙を介して帯板状の出力端子接続導体14を重ね、N側モジュール5a,5b,5c,5dのコレクタ端子とP側モジュール4a,4b,4c,4dのエミッタ端子を接続する。出力端子接続導体14の外側に僅かな空隙を介してP側コレクタ接続導体12を重ね、P側モジュール4a,4b,4c,4dのコレクタ端子と接続する。
Claim (excerpt)：
複数の半導体素子が極性を揃えて対向列設され、前記半導体素子の対向側の端子を接続する第1の導板と、片側の列の前記半導体素子の非対向側の端子を接続する第2の導板と、他側の列の前記半導体素子の非対向側の端を接続する第3の導板を備えた半導体電力変換装置において、前記第1,第2,第3の導板を絶縁体を介して平行に重ねたことを特徴とする半導体電力変換装置。
Patent cited by the Patent：
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