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J-GLOBAL ID：200903001546178945

絶縁膜の形成方法

Inventor： 中野 正 ,  徳永 恭二
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994126567
Publication number (International publication number)：1995176527
Application date： Jun. 08, 1994
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高アスペクト比段差の埋め込み平坦化を実現するために、クラックの発生なしに絶縁膜の厚膜化をすることを目的とする。【構成】 所望の処理が行われた半導体基板1上に、軟化開始温度が硬化温度よりも低いSi-O-Si結合を有する前駆体を塗布する工程と、加熱硬化して絶縁膜とする工程とを含んで絶縁膜11を形成する。前記前駆体としてラダーシロキサンオリゴマーとメチルシロキサンオリゴマーとの混合溶液を用い、これを重合度100以下のラダーシロキサンオリゴマーと重合度10〜100のメチルシロキサンオリゴマーの固形分混合比(重量)を95:5〜75:25の混合溶液とする。

Claim (excerpt)：

所望の処理が行われた半導体基板上に、軟化開始温度が硬化温度よりも低いSi-O-Si結合を有する前駆体を塗布する工程と、加熱硬化して絶縁膜とする工程とを含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/312

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭64-009231
  
• 特開平1-216543
  
• 特開昭64-009231
  
• 特開平1-216543