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J-GLOBAL ID：200903001549603272

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 高田 賢治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999274003
Publication number (International publication number)：2001102565
Application date： Sep. 28, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明の目的は、窒化ガリウム系材料を用いた電界効果トランジスタの製造方法を簡略化することである。【解決手段】 窒化ガリウム系半導体層と、前記窒化ガリウム系半導体層とショットキー接合しているショットキー電極18と、前記窒化ガリウム系半導体層に選択的に形成され、結晶欠陥を有する結晶欠陥層25と、前記結晶欠陥層を介して、前記窒化ガリウム系半導体層とオーミック接合しているオーミック電極16,17を有し、前記ショットキー電極と前記オーミック電極は同一の金属であることを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系半導体層と、前記窒化ガリウム系半導体層とショットキー接合しているショットキー電極と、前記窒化ガリウム系半導体層に選択的に形成され、結晶欠陥を有する結晶欠陥層と、前記結晶欠陥層を介して、前記窒化ガリウム系半導体層とオーミック接合しているオーミック電極を有し、前記ショットキー電極と前記オーミック電極は同一の金属であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/872

FI (3)：

H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/48 M

F-Term (25)：

4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102HB01 ,  5F102HB07 ,  5F102HB09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21