Pat
J-GLOBAL ID:200903001556985318
表面実装型SAWデバイス
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 均
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004029848
Publication number (International publication number):2005223641
Application date: Feb. 05, 2004
Publication date: Aug. 18, 2005
Summary:
【課題】 SAWデバイスを構成する圧電基板として焦電性を有する材料を使用した場合であっても、圧電基板の上面側に被覆された封止樹脂が帯電することを防止することができる表面実装型SAWデバイスを提供する。【解決手段】 実装基板2と、圧電基板18、該圧電基板の一面に形成したIDT電極17、及び配線パターン5と導体バンプ10を介して接続される接続パッド16、を備えたSAWチップ15と、SAWチップを実装基板上にフリップチップ実装した状態でSAWチップ外面から実装基板上面にかけて被覆形成されることによりIDT電極と実装基板との間に気密空間Sを形成する封止樹脂21と、を備え、圧電基板の結晶構造がシェーンフリース記号でC1、C2、CS、C2V、C4、C4V、C3、C3V、C6、C6Vの何れかの点群に属している表面実装型SAWデバイスにおいて、圧電基板の導電性を高めることによって、封止樹脂の帯電を抑制した。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
絶縁基板、該絶縁基板の底部に配置した表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上部に配置され且つ前記外部電極と導通した配線パターン、を備えた実装基板と、圧電基板、該圧電基板の一面に形成したIDT電極、及び前記配線パターンと導体バンプを介して接続される接続パッド、を備えたSAWチップと、前記SAWチップを実装基板上にフリップチップ実装した状態でSAWチップ外面から実装基板上面にかけて被覆形成されることにより前記IDT電極と前記実装基板との間に気密空間を形成する封止樹脂と、を備え、前記圧電基板の結晶構造がシェーンフリース記号でC1、C2、CS、C2V、C4、C4V、C3、C3V、C6、C6Vの何れかの点群に属している表面実装型SAWデバイスにおいて、
前記圧電基板の導電性を高めることによって、封止樹脂の帯電を抑制したことを特徴とする表面実装型SAWデバイス。
IPC (2):
FI (3):
H03H9/25 C
, H03H9/25 A
, H03H9/145 C
F-Term (11):
5J097AA27
, 5J097AA29
, 5J097DD29
, 5J097FF01
, 5J097GG01
, 5J097GG03
, 5J097HA04
, 5J097HA07
, 5J097HA08
, 5J097JJ01
, 5J097JJ09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (6)
Show all
Return to Previous Page