Pat

J-GLOBAL ID：200903001558453178

薄膜及びそれを用いた装置

Inventor： 松本 貴裕
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999245111
Publication number (International publication number)：2001074871
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 実用的エネルギー源となり得るミューオン触媒核融合によるエネルギーを生成させることができる薄膜及びそれを用いた装置を提供する。【解決手段】 水素終端されたポーラスシリコン膜の該水素終端の同位体比がHx Dy TZ (Hは水素、Dは重水素、Tは3重水素)であり、かつ、x+y+z=1であるポーラスシリコン膜、つまり、シリコンコラム61には、重水素終端シリコンおよび3重水素終端シリコン62を得る。また、これに負に帯電したミューオンを照射することにより、各種の放射線の発生源を提供する。

Claim (excerpt)：

水素終端された微結晶体の該水素終端の同位体比がHx DyTZ (Hは水素、Dは重水素、Tは3重水素)であり、かつ、x+y+z=1であることを特徴とする薄膜。

IPC (4)：

G21B 1/00 ,  C01B 31/02 101 ,  G21H 1/00 ,  G21H 3/00

FI (4)：

G21B 1/00 Y ,  C01B 31/02 101 Z ,  G21H 1/00 ,  G21H 3/00 Z

F-Term (8)：

4G046CA02 ,  4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4G046CC05 ,  4G046MA14 ,  4G046MB08 ,  4G046MC03 ,  4G046MC04