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J-GLOBAL ID：200903001560911728
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991345630
Publication number (International publication number)：1993183160
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明は、素子の微細化が進んでも、コンタクト抵抗の増大を招かない半導体装置を提供することを目的とする。【構成】シリコン基板1上に、ゲート酸化膜3を介して形成されたゲート電極4と、このゲート電極4に対向してシリコン基板1の表面に形成されたソース・ドレイン拡散層6と、このソース・ドレイン拡散層6上に形成されたソース・ドレイン電極9と、このソース・ドレイン電極9とソース・ドレイン拡散層6との間に設けられたSi-Ge混晶層8とを備えていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
シリコン基板の表面に形成されたソース・ドレイン拡散層と、このソース・ドレイン拡散層上に形成されたソース・ドレイン電極と、このソース・ドレイン電極と前記ソース・ドレイン拡散層との間に設けられたシリコンと所定の元素とからなる混晶層とを具備してなり、前記所定の元素として、前記混晶層の価電子帯端のエネルギー準位と前記ソース・ドレイン電極のフェルミ準位との差が、前記ソース・ドレイン拡散層の価電子帯端のエネルギー準位と前記ソース・ドレイン電極のフェルミ準位との差より小さくなる元素を選んだことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
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