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J-GLOBAL ID：200903001563566452

薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器

Inventor： 平井 利充
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003149648
Publication number (International publication number)：2004351272
Application date： May. 27, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】細線化を良好に実現できる薄膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】本発明の薄膜パターンの形成方法は、機能液を基板P上に配置することにより薄膜パターンを形成する方法であって、基板P上に薄膜パターンに応じたバンクBを突設するバンク形成工程S1と、バンクBにCF4プラズマ処理により撥液性を付与する撥液化処理工程S3と、撥液性を付与されたバンクB間に機能液を配置する材料配置工程S4とを有することを特徴とする。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

機能液を基板上に配置することにより薄膜パターンを形成する方法であって、 前記基板上に前記薄膜パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程と、 前記バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程と、 前記撥液性を付与された前記バンク間に前記機能液を配置する材料配置工程とを有することを特徴とする薄膜パターンの形成方法。

IPC (4)：

B05D1/26 ,  B05D3/04 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333

FI (5)：

B05D1/26 Z ,  B05D3/04 C ,  G02F1/13 101 ,  G02F1/13 505 ,  G02F1/1333 500

F-Term (38)：

2H088EA27 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088HA02 ,  2H088HA06 ,  2H088HA12 ,  2H088MA20 ,  2H090JB02 ,  2H090JB03 ,  2H090JB04 ,  2H090LA01 ,  2H090LA03 ,  2H090LA04 ,  2H090LA15 ,  4D075AC06 ,  4D075AC09 ,  4D075AC88 ,  4D075AC93 ,  4D075AE02 ,  4D075BB49Y ,  4D075CA22 ,  4D075CB11 ,  4D075DA06 ,  4D075DB01 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DB31 ,  4D075DC19 ,  4D075DC21 ,  4D075DC24 ,  4D075EA10 ,  4D075EB13 ,  4D075EB16 ,  4D075EB22 ,  4D075EB32 ,  4D075EB39 ,  4D075EB43 ,  4D075EC10