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J-GLOBAL ID：200903001568616326
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
伊藤 求馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992231307
Publication number (International publication number)：1994061432
Application date： Aug. 06, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 コスト低減及び、雰囲気温度に影響されない正確な電流検出を併せて実現する。【構成】 外部負荷Lへ電流を供給するパワーFET1と供給電流を検出するセンスFET2が同一チップA上に形成され、さらに検出抵抗素子3、定電流源4、基準抵抗素子5およびコンパレータ素子6が上記チップA上に形成される。同一チップ上に形成した検出抵抗素子3と基準抵抗素子5は互いの相対精度が良いから、同一電流に対して同一の電圧を発生する。また、雰囲気温度の変化に伴い両抵抗素子の抵抗値は変化するが、温度特性が同一であるから、抵抗値変化に伴う電圧変化はコンパレータ素子6で相殺され、比較結果には影響しない。かくして、正確な電流検出が可能である。
Claim (excerpt)：
外部負荷へ電流を供給する電流供給素子と、供給電流に比例した検出電流を生じる電流検出素子と、検出電流をこれに応じた検出電圧に変換する検出抵抗素子と、定電流源と、定電流源からの定電流を一定の基準電圧に変換する基準抵抗素子と、上記検出電圧と基準電圧を比較して比較結果を出力するコンパレータ素子とを同一半導体チップ上に形成してなる半導体装置。
IPC (3)：
H01L 27/06
, H01L 29/784
, H03K 17/08
H01L 27/06 102 F
, H01L 29/78 301 E
