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J-GLOBAL ID：200903001573831219

発光ダイオードの製造方法

Inventor： 海野 恒弘 ,  今野 泰一郎 ,  佐藤 豊彦 ,  渡辺 真敏
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994250676
Publication number (International publication number)：1996116088
Application date： Oct. 17, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】界面反射型LEDにおいて、他の層に影響を与えることなく、犠牲層のみを有効にエッチング除去する。【構成】p型GaAs基板5の表面に形成した凹部を、AlGaAs犠牲層4で埋める。凹部を埋めるAlGaAs犠牲層の導電型を基板5とは反対のn型とする。犠牲層4を含むGaAs基板5上に、p型AlGaAsクラッド層3、p型AlGaAs活性層2、n型AlGaAsクラッド層1からなる発光層を形成する。その後、凹部を埋めた犠牲層4をエッチング除去して空洞部9を形成する。このとき犠牲層4が、エッチング速度の速いn型となっているので、犠牲層4のみが有効にエッチング除去される。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に形成した複数の凹部を犠牲層となる半導体層で埋め、該半導体層を含む基板上に発光層を形成し、上記凹部を埋める半導体層をエッチング除去して空洞部を形成し、該空洞部と上記発光層との界面で光を反射させるようにした発光ダイオードの製造方法において、上記凹部を埋める半導体層の導電型をn型としたことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。