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J-GLOBAL ID：200903001575305492

半導体基板の表面処理方法、半導体基板、及び薄膜形成方法

Inventor：
赤松 和弘

About 赤松 和弘

, 
久保田 典之

About 久保田 典之


Applicant, Patent owner：
日鉱金属株式会社

About 日鉱金属株式会社


Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008022910
Publication number (International publication number)：2009182315
Application date： Feb. 01, 2008
Publication date： Aug. 13, 2009
Summary：
【課題】半導体基板上への薄膜形成工程(例えば、エピタキシャル成長工程)直前に、簡単な前処理を行うだけで、半導体基板上に良質な半導体薄膜を形成可能な技術を提供する。【解決手段】1又は2以上の結晶層を有する半導体基板11の最表層の表面を、当該最表層の熱分解温度より低い熱分解温度を有する材料からなる被覆膜12で被覆し、この状態でウェハ容器に収容し保管する。そして、この被覆膜12が形成された半導体基板1をウェハ容器から取り出し、被覆膜12を熱分解により当該半導体基板11表面から除去してから、薄膜形成工程13を行う。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
1又は2以上の結晶層を有する半導体基板の表面処理方法において、 前記半導体基板の最表層の表面を、当該最表層の熱分解温度より低い熱分解温度を有する材料からなる被覆膜で被覆することを特徴とする半導体基板の表面処理方法。
IPC (1)：
H01L 21/203
FI (1)：
H01L21/203 M
F-Term (10)：
5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103DD03 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103PP05 ,  5F103PP13 ,  5F103RR04 ,  5F103RR08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 気相成長方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-124701   Applicant：株式会社日鉱マテリアルズ
  • エピタキシャル成長方法
    Gazette classification：再公表公報   Application number：JP2004006144   Applicant：日鉱金属株式会社
Cited by examiner (6)
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