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J-GLOBAL ID：200903001576609860

半導体装置の製造方法

Inventor： 梶谷 美道
Applicant, Patent owner： 日本鉱業株式会社
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991210486
Publication number (International publication number)：1993036622
Application date： Jul. 29, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】GaAs半導体表面に安定した特性のショットキー電極などの電極を作成する。【構成】GaAsを主成分とする化合物半導体表面をフッ素元素を含有するプラズマにより処理し、該化合物半導体表面に真空蒸着により電極を形成する。【効果】電極が反応性の高い酸化膜の上に形成されていないため、長期間にわたり安定した特性を得ることができる。

Claim (excerpt)：

GaAsを主成分とする化合物半導体表面をフッ素元素を含有するプラズマにより処理し、該化合物半導体表面に真空蒸着により電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812