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J-GLOBAL ID：200903001578664264

半導体素子の金属パターン形成方法

Inventor： 梁 基 洪 ,  晋 圭 安
Applicant, Patent owner： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
Agent (3)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  松本 公雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007167518
Publication number (International publication number)：2008010873
Application date： Jun. 26, 2007
Publication date： Jan. 17, 2008
Summary：

【課題】半導体素子に金属パターンを形成する際の金属による乱反射を防止することにより感光膜パターンの不良の発生を抑制し、かつ、その製造工程を単純化することができる半導体素子の金属パターン形成方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体素子の金属パターン形成方法は、金属パターン用の金属層(12)が形成された半導体基板を提供するステップと、金属層(12)上で酸化反応を起こす洗浄(14)を実施し、金属層(12)上に乱反射防止膜(15)を形成するステップと、乱反射防止膜(15)上に感光膜パターンを形成するステップと、感光膜パターンにより露出した乱反射防止膜(15)及び金属層(12)をエッチングして金属パターンを形成するステップとを含む。【選択図】図1

Claim 1：

金属パターン用の金属層が形成された半導体基板を提供する第1ステップと、 前記金属層上で酸化反応が起きるように洗浄を実施し、前記金属層上に乱反射防止膜を形成する第2ステップと、 前記乱反射防止膜上に感光膜パターンを形成する第3ステップと、 前記感光膜パターンにより露出された前記乱反射防止膜及び前記金属層をエッチングして前記金属パターンを形成する第4ステップと を含むことを特徴とする半導体素子の金属パターン形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/321

FI (2)：

H01L21/28 D ,  H01L21/88 C

F-Term (11)：

4M104BB02 ,  4M104BB18 ,  4M104DD62 ,  4M104DD63 ,  5F033HH08 ,  5F033HH19 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033WW04 ,  5F033XX33