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J-GLOBAL ID：200903001580445936

投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法

Inventor： 村木 真人 ,  滝 昇
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 高梨 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993111059
Publication number (International publication number)：1994302494
Application date： Apr. 14, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 レチクル面上を均一に照明し、高解像度の投影パターン像が得られる半導体素子製造用の投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法。【構成】 光束を出射する照明部101と該照明部からの光束を光導入口より導入して照明した第1物体6面上のパターンを投影光学系により第2物体8面に投影露光する装置本体部102とを別個独立に設けた投影露光装置において、該照明部には該光導入口での光強度分布を均一にする光学手段が設けられており、該装置本体側には2次光源を形成する為の光学要素がその入射面を該光導入口に光学的に一致するように設けられており、該照明部からの光束を該光学要素を介して該第1物体面に導入していること。

Claim (excerpt)：

光束を出射する照明部と該照明部からの光束を光導入口より導入して第1物体面を照明し、該第1物体面上のパターンを投影光学系により第2物体面に投影露光する装置本体部とを別個独立に設けた投影露光装置において、該照明部には該光導入口での光強度分布を均一にする光学手段が設けられており、該装置本体側には2次光源を形成する為の光学要素がその入射面を該光導入口に光学的に一致するように設けられており、該照明部からの光束を該光学要素を介して該第1物体面に導光していることを特徴とする投影露光装置。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03B 27/32 ,  G03F 7/20 521

FI (2)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 311 S