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J-GLOBAL ID:200903001580505440

超高周波多層回路構造及び製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (8): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004105600
Publication number (International publication number):2005080281
Application date: Mar. 31, 2004
Publication date: Mar. 24, 2005
Summary:
【課題】超高周波領域で平行板漏洩損失を減少させるための多層回路構造及び製造方法を提供する。【解決手段】低誘電率のエアキャビティーを多層回路内部に集積して、背面接地平板形導波管構造の下部接地面と上部接地面からなった平行板導波管の有効誘電率を平板形導波管より相対的に低めることにより、平行板漏洩損失を減少させる。【選択図】 図2
Claim 1:
低温焼成セラミック(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramic)を用いる超高周波多層回路構造の製造方法において、 (a)第1層グリーンシート(green sheet)の内部にビア(via)とエアキャビティー(air cavity)を形成する段階と、 (b)第2層及び第3層グリーンシートの内部にビアを形成する段階と、 (c)前記第1層ないし第3層グリーンシートの前記ビアに伝導性物質を挿入する段階と、 (d)前記第3層グリーンシートの上部に上部接地用伝導体と信号線伝導体を形成し、前記第1層グリーンシートの下部に下部接地用伝導体を形成する段階と、 (e)前記第1層ないし第3層グリーンシートを積層する段階と、 (f)前記積層されたグリーンシートを焼成する段階とを含むことを特徴とする超高周波多層回路構造の製造方法。
IPC (4):
H01P3/02 ,  H01L23/12 ,  H01P3/08 ,  H05K3/46
FI (6):
H01P3/02 ,  H01L23/12 301Z ,  H01P3/08 ,  H05K3/46 H ,  H05K3/46 N ,  H05K3/46 Z
F-Term (15):
5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346BB02 ,  5E346BB04 ,  5E346BB06 ,  5E346CC18 ,  5E346DD12 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346FF18 ,  5E346FF22 ,  5E346FF27 ,  5E346GG15 ,  5E346HH06 ,  5J014CA53
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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