Pat

J-GLOBAL ID：200903001585154514

基板処理装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 山口 天和 ,  松永 建久 ,  能戸 幸一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002274752
Publication number (International publication number)：2006080098
Application date： Sep. 20, 2002
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】処理室の側壁外周面に異物が付着するのを防止する。【解決手段】アウタチューブ3と共にプロセスチューブ1を構成したインナチューブ2は複数枚のウエハ10を保持したボート11が搬入される処理室4を形成しており、インナチューブ2とアウタチューブ3との下端部を気密封止したマニホールド6には排気口7が開設され、インナチューブ2には原料ガス30を導入するガス導入ノズル22が敷設されている。インナチューブ2のガス導入ノズル22の反対側には排気スリット25が開設され、インナチューブ2の外周には排気スリット25を被覆する排気ダクト26が突設されている。【効果】排気スリットから排気された処理ガスを排気ダクトに流すことで、処理ガスがインナチューブ外周面に異物を生成するのを防止できるため、生成付着した異物が処理室に逆流してパーティクルになるのを未然に防止できる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

複数枚の基板を処理する処理室と、前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記処理室に処理ガスを導入するガス導入口と、前記処理室の側壁に前記ボートに保持された前記複数枚の基板の全長よりも長く延びるように開設されて前記処理室を排気する排気スリットとを備えていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285

FI (3)：

H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 C

F-Term (23)：

4K030AA06 ,  4K030AA08 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030CA12 ,  4K030EA11 ,  4K030KA04 ,  4K030KA45 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20 ,  5F045AA06 ,  5F045AC15 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EG01