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J-GLOBAL ID:200903001587117047

エッチング成形方法およびエッチング速度制御方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996055989
Publication number (International publication number):1996279496
Application date: Mar. 13, 1996
Publication date: Oct. 22, 1996
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、キャパシタを形成するためのの溝や孔をエッチングするためのエッチング成形方法およびエッチング速度制御方法を提供することを目的とする。【解決手段】 エッチング処理期間中にウエハの温度を変化させてパッシベーション膜の堆積を制御することによって、例えば上部でテーパーを有し下部は垂直な側壁を有する所望の形状に成形された溝や孔を形成する。その方法はエッチングされる半導体ウエハ(104 )とその背後の陰極(106 )との間の間隙(110 )をヘリウムガスの充填圧力により第1の圧力で加圧し、エッチング期間中の所定の時間にその圧力を第2の圧力に減少させて半導体ウエハ(104 )から陰極への熱伝達を減少させて温度制御を行うことを特徴とする。また、供給される高周波電力を変化させてウエハのイオン衝撃を増大または減少させて温度制御を行い、或いは陰極(106 )を冷却する冷却剤の温度を変えてウエハ温度を制御することもできる。
Claim (excerpt):
パッシベーション膜の堆積が温度に依存するエッチング処理中に、エッチングされる半導体ウエハの温度を制御してエッチング成形するエッチング成形方法であって、半導体ウエハと陰極との間の間隙を第1の圧力で加圧し、前記ウエハのエッチング処理中の所定の時間に前記間隙における前記第1の圧力を第2の圧力に変化させ、それによって前記ウエハから前記陰極への熱の伝達を変化させて前記ウエハの温度を変化させることを特徴とするエッチング成形方法。
IPC (4):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3):
H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 A ,  H01L 27/10 625 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
  • 特開平1-194325
  • ドライエッチング方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-208789   Applicant:株式会社日立製作所
  • 特開昭63-229716
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