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J-GLOBAL ID：200903001597437775

埋め込み型半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 有本 智
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991263265
Publication number (International publication number)：1993075215
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 埋め込み型半導体レーザのリーク電流を大幅に低減し、しきい値電流を小さくする。【構成】 活性領域と電流阻止層の間に絶縁体である誘電体膜を挿入、もしくはエアギャップを形成するようにした。

Claim (excerpt)：

反対導電型の上下クラッド層と、該上下クラッド層の間に形成された活性層とから成るメサ構造の活性領域と、前記メサ構造に隣接して形成された電流阻止層とを備えた埋め込み型半導体レーザにおいて、前記活性領域と前記電流阻止層との間に誘電体膜が挿入されたことを特徴とする埋め込み型半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/025

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-196894
  
• 特開昭53-090783
  
• 特開昭61-176181
  
• 特開平4-196284