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J-GLOBAL ID：200903001598323749

銅/タンタル基体に有用な化学的機械研磨スラリー

Inventor： コーフマン,ブラスタ ブラシック ,  キストラー,ロドニー シー. ,  ワン,シュミン
Applicant, Patent owner： キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000557316
Publication number (International publication number)：2002519471
Application date： Jun. 25, 1999
Publication date： Jul. 02, 2002
Summary：

【要約】本発明は、研磨材、酸化剤、錯化剤、膜形成剤および有機アミノ化合物を含む第1のCMPスラリー、研磨材、酸化剤、および酢酸を含み、酢酸に対する酸化剤の質量比が少なくとも10である第2研磨スラリー、ならびに第1および第2研磨スラリーを用いて銅を含む基体、そしてタンタルもしくは窒化タンタル、またはタンタルおよび窒化タンタルの両方を含む基体を逐次的に研磨するために使用する方法である。

Claim (excerpt)：

少くとも1つの研磨材;酢酸;および少くとも1つの膜形成剤、を含む化学的機械研磨スラリー前駆体。

IPC (5)：

C09G 1/02 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/32 ,  H01L 21/3205

FI (5)：

C09G 1/02 ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/32 ,  H01L 21/88 K

F-Term (18)：

5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM13 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01 ,  5F058BC03 ,  5F058BF69 ,  5F058BF80 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-124290   Applicant：ミクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド

Cited by examiner (1)

• 半導体処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-124290   Applicant：ミクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド