Pat

J-GLOBAL ID：200903001616157312

半導体装置の製造装置及び製造方法

Inventor： 恒川 助芳 ,  川▲崎▼ 裕通 ,  渡辺 和人 ,  津国 和之 ,  吉岡 健
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立計測器サービス株式会社
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999360985
Publication number (International publication number)：2001176858
Application date： Dec. 20, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 プラズマダメージの少ないプラズマ処理をインラインに実施する技術を提供する。【解決手段】 プラズマ発生部によって発生させたプラズマを用いて処理を行なう際に、前記プラズマ発生部の誘導結合コイルの一端に整合回路を接続し、前記コイルの他端にコンデンサを接続し、このコンデンサの容量によって、前記コイルの一端に誘起される電圧とコイルの他端に誘起される電圧との電位差を小さくする。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生部によって発生させたプラズマを用いて処理を行なう半導体装置の製造装置において、前記プラズマ発生部の誘導結合コイルの一端に整合回路を接続し、コイルの他端にコンデンサを接続し、このコンデンサの容量によって、前記コイルの一端に誘起される電圧と前記コイルの他端に誘起される電圧との電位差を小さくすることを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

F-Term (9)：

5F004AA05 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB32 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F045EH11