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J-GLOBAL ID:200903001620701280

微細パターン形成方法、光学素子の製造方法、光学素子および光伝送装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 松田 正道
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000049194
Publication number (International publication number):2001235646
Application date: Feb. 25, 2000
Publication date: Aug. 31, 2001
Summary:
【要約】【課題】 微細で深くかつ表面に粗さのないパターン形成方法を提供することによって、性能、量産性、低コスト性を兼ね備えた光学素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板1の一部に、少なくとも一対の列を有するパターンのエッチングマスク2を形成する工程と、基板1にエッチングマスク2を用いてエッチングを行い、基板1上に少なくとも一対の断面凸型の列を有するパターンを形成する工程とを備え、前記一対の断面凸型の列に挟まれた領域に、断面凹型の溝を形成することを特徴とする微細パターン形成方法。
Claim (excerpt):
基板の一部に、少なくとも一対の列を有するパターンのエッチングマスクを形成する工程と、前記基板に前記エッチングマスクを用いてエッチングを行い、前記基板上に少なくとも一対の断面凸型の列を有するパターンを形成する工程とを備え、前記一対の断面凸型の列に挟まれた領域に、断面凹型の溝を形成することを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (2):
G02B 6/13 ,  G02B 6/122
FI (2):
G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 A
F-Term (6):
2H047KA03 ,  2H047PA24 ,  2H047PA28 ,  2H047QA04 ,  2H047QA05 ,  2H047TA43
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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