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J-GLOBAL ID：200903001629645472

水素吸蔵炭素

Inventor： 久保木 貴志 ,  山本 雅秋 ,  高見 則雄 ,  大崎 隆久
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998278767
Publication number (International publication number)：2000103612
Application date： Sep. 30, 1998
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 室温で大量の水素を吸蔵することのできる水素吸蔵体を提供する。【解決手段】 賦活処理を施した炭素材料であり、窒素を用いたBET法による比表面積が100m2/g以上3000m2/g以下で、粉末X線回折により求められるd002が0.335nm以上0.360nm以下であり、d002を示すピークの半値幅が4°以下であることを特徴とする炭素を用いた。

Claim (excerpt)：

賦活処理を施した炭素材料であり、窒素を用いたBET法による比表面積が100m2/g以上3000m2/g以下で、粉末X線回折により求められるd002が0.335nm以上0.360nm以下であり、d002を示すピークの半値幅が4°以下であるることを特徴とする水素吸蔵炭素。

IPC (3)：

C01B 31/08 ,  C01B 3/00 ,  H01M 12/08

FI (3)：

C01B 31/08 Z ,  C01B 3/00 B ,  H01M 12/08 S

F-Term (18)：

4G040AA33 ,  4G040AA36 ,  4G040AA42 ,  4G046HA03 ,  4G046HA07 ,  4G046HB00 ,  4G046HB01 ,  4G046HB03 ,  4G046HC03 ,  4G046HC09 ,  4G046HC10 ,  5H032AA05 ,  5H032BB02 ,  5H032EE01 ,  5H032HH00 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04 ,  5H032HH06