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J-GLOBAL ID：200903001633583660

半導体装置、半導体装置の製造方法およびトランジスタ

Inventor： 原田 直樹 ,  大淵 真理
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 横山 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008126441
Publication number (International publication number)：2009277803
Application date： May. 13, 2008
Publication date： Nov. 26, 2009
Summary：

【課題】優れた動作特性を有する、グラフェン膜をチャネルに用いた半導体装置を提供する。【解決手段】伝導に寄与する二層のグラフェン膜をチャネルとし、該チャネルに固定電荷を導入し、かつ該チャネルに垂直方向に電界を印加可能のように、トップゲートあるいはヅアルゲート型のゲート電極を構成し、反転型あるいはノーマリ・オン型動作の電界効果型トランジスタとする。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

二層のグラフェン膜からなるチャネルと、 前記チャネルの垂直方向に電界を印加可能なゲート電極とを、 備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (6)：

H01L29/28 250E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 310A ,  H01L29/28 310L

F-Term (32)：

5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ16