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J-GLOBAL ID：200903001636500234
半導体放射線検出素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997079584
Publication number (International publication number)：1998275929
Application date： Mar. 31, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】エネルギー分解能が高く、かつ安価に製造できる放射線検出素子を提供する。【解決手段】半導体結晶102の相対する2つの平面の間に、p-n接合層、あるいは、ショットキー障壁層及び上記平面に、少なくとも、電極4,5を形成して得られる素子を複数個重ねて検出素子とする。
Claim (excerpt)：
厚さ1mm以下の半導体ウエハの相対する2つの平面の間に、p-n接合層、あるいは、ショットキー障壁層及び上記平面に電極を複数個形成して、上記ウエハを切り取って得られる素子を複数個重ねて形成したことを特徴とする半導体放射線検出素子。
IPC (3)：
H01L 31/10
, G01T 1/24
, H01L 31/09
H01L 31/10 A
, G01T 1/24
, H01L 31/00 A
