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J-GLOBAL ID：200903001637024380

半導体レーザモジユール

Inventor： 飯田 力弘
Applicant, Patent owner： 安藤電気株式会社
Agent (1)： 小俣 欽司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991272038
Publication number (International publication number)：1993082914
Application date： Sep. 24, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 反射防止膜4により、半導体レーザ1の戻り光による悪影響を防止するとともに光ファイバ3Aへの結合効率を向上させ、光ファイバ増幅器が発振することを防止する。【構成】 光ファイバ3Aと利得波長帯Δλの希土類添加光ファイバ3Bを接続し、発振波長λaの半導体レーザ1の出力光を光ファイバ3Aから入射させる場合に、波長λaの入射光を反射することなく光ファイバ3A内に導き、光ファイバ3B内で発生する波長Δλの自然放出光を光ファイバ3A外へ導く反射防止膜4を光ファイバ3Aの入射端に取り付ける。

Claim (excerpt)：

光ファイバ(3A)と利得波長帯Δλの希土類添加光ファイバ(3B)を接続し、発振波長λaの半導体レーザ(1) の出力光を光ファイバ(3A)から入射させる場合に、波長λaの入射光を反射することなく光ファイバ(3A)内に導き、希土類添加光ファイバ(3B)内で発生する波長Δλの自然放出光を光ファイバ(3A)外へ導く反射防止膜(4) を光ファイバ(3A)の入射端に取り付けることを特徴とする半導体レーザモジュール。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/00 ,  G02B 6/42