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J-GLOBAL ID：200903001638797579

高誘電率誘電体薄膜を有する電子部品とその製造方法

Inventor： 大谷 成元
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992287768
Publication number (International publication number)：1994140570
Application date： Oct. 26, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 SrTiO3 系の高誘電率の誘電体膜を有する電子部品とその製造方法に関し、良好な絶縁特性と、高い誘電率を有するSrTiO3 系誘電体膜を有する電子部品を提供することを目的とする。【構成】 導電性表面を有する下地基板と、前記下地基板上に形成されたSrTi1-x Bix O3 (0.05≦x≦0.5)の誘電体薄膜とを有する。

Claim (excerpt)：

導電性表面を有する下地基板と、前記下地基板上に形成されたSrTi1-x Bix O3 (0.05≦x≦0.5)の誘電体薄膜とを有する高誘電率誘電体薄膜を有する電子部品。

IPC (5)：

H01L 27/04 ,  C01G 29/00 ,  H01G 4/10 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/108