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J-GLOBAL ID：200903001646596108

半導体光素子の製造方法

Inventor：
鈴木 尚文

About 鈴木 尚文


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999016924
Publication number (International publication number)：2000216495
Application date： Jan. 26, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：
【要約】【課題】 選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板101上に、選択成長により活性層を含むメサ構造Mを形成し、このメサ構造Mの最上部にAlを含むAl含有層106を成長させる工程と、このAl含有層106を酸化させ酸化層107を形成する工程と、この酸化層107をマスクとして電流ブロック層108,109を成長させる工程と、を少なくとも含むことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、選択成長により活性層を含むメサ構造を形成し、このメサ構造の最上部にAlを含むAl含有層を成長させる工程と、このAl含有層を酸化させ酸化層を形成する工程と、この酸化層をマスクとして電流ブロック層を成長させる工程と、を少なくとも含むことを特徴とする半導体光素子の製造方法。
IPC (2)：
H01S 5/227 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01S 3/18 665 ,  H01S 3/18 677
F-Term (9)：
5F073AA26 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA27 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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