レジスト組成物とこれを用いた微細パターン形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩原誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000121479
Publication number (International publication number)：2000356850
Application date： Apr. 21, 2000
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】フォトレジストパターンに形成された開口部サイズを1回の熱的フロー工程だけで充分に希望のサイズに縮少でき、しかもフロー工程時前記フォトレジストパターンの垂直プロファイルの変形を最小化しながらフロー速度を容易に制御できるレジスト組成物とこれを用いた微細パターン形成方法を提供すること。【解決手段】本発明のレジスト組成物は、フォトリソグラフィ工程によってフォトレジストパターンを形成するのに用いられるレジスト溶液と、このレジスト溶液のガラス転移温度または軟化開始温度以上の温度での熱処理によって前記レジスト溶液の部分的架橋反応を引き起こせる架橋剤とが混合されて構成される。

Claim (excerpt)：

フォトリソグラフィ工程によってフォトレジストパターンを形成するのに用いられるレジスト溶液と、このレジスト溶液のガラス転移温度または軟化開始温度以上の温度での熱処理によって前記レジスト溶液の部分的な架橋反応を引き起こせる架橋剤とが混合されて構成されることを特徴とするレジスト組成物。

IPC (12)：

G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , C08K 5/00 , C08K 5/06 , C08K 5/14 , C08K 5/16 , C08K 5/23 , C08L 61/04 , G03F 7/023 511 , G03F 7/039 601 , G03F 7/40 501 , H01L 21/027

FI (13)：

G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 A , C08K 5/00 , C08K 5/06 , C08K 5/14 , C08K 5/16 , C08K 5/23 , C08L 61/04 , G03F 7/023 511 , G03F 7/039 601 , G03F 7/40 501 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 566

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

フォトレジストを用いるホールパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-080519 Applicant：三菱化学株式会社
化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-104590 Applicant：信越化学工業株式会社
ポジ型化学増幅フォトレジスト及びレジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-124967 Applicant：富士通株式会社

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