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J-GLOBAL ID：200903001652573845

成膜方法およびこれに用いる成膜装置

Inventor： 原 昌輝
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995092837
Publication number (International publication number)：1996288271
Application date： Apr. 18, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 平坦化特性と膜質の両方に優れる絶縁膜を成膜する。【構成】 成膜室1中、上部電極2と基板ステージ5との間にメッシュ電極3を配し、該上部電極2を通じてSiH4 /O2 混合ガスを供給し、プラズマPを生成させる。成膜室1の外部には水を封入した溶解槽8を設け、導入管9から導入されたO3 をこの水に溶解させる。この水を送液管10を通じて成膜室1内へ導入し、該送液管10の先端部のリング状ノズル10aから超音波振動子11によりエアロゾル化させた状態でウェハW近傍に供給する。プラズマP中に膜中不純物の少ないSiOxが生成してこれがウェハW上に堆積する一方で、該ウェハW上では残余のSiH4 ガスと溶存O3 とが反応し、膜中不純物は若干含むが流動性の高いSiOxが生成する。これら両方のSiOxの混在により、良好なSiOx層間絶縁膜が成膜される。

Claim (excerpt)：

気相中における堆積性物質の生成反応と、該気相に隣接して置かれる基板の表面における堆積性物質の生成反応とを同時進行させながら、該基板上に該堆積性物質の薄膜を成膜する成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/31 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 P ,  H05H 1/46 B