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J-GLOBAL ID：200903001654688640

可視光半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 廣山 良治 ,  本多 正治
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992335003
Publication number (International publication number)：1994164063
Application date： Nov. 20, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 しきい値電流の増大及び信頼性の低下を抑制して、MOCVD法により一度に積層できる可視光半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。【構成】 基板1は(100) 面から〈011 〉方向に5°傾斜させた斜面が設けられており、この傾斜部1a及び平坦部1b上に、n-Ga0.5 In0.5 P のバッファ層2,n-( Al0.7 Ga0.3 ) 0.5 In0.5 P のn-クラッド層3,アンドープ( Al0.1 Ga0.9 ) 0.5 In0.5 P の活性層4,p-( Al0.7 Ga0.3 ) 0.5 In0.5 P のp-クラッド層5及びp-Ga0.5 In0.5 P のコンタクト層6が夫々傾斜部及び平坦部を設けて積層されている。p-クラッド層5の斜線部5aは、平坦部5bよりも高いキャリア濃度を有している。コンタクト層6上には、注入率の傾斜角度依存性を有するn型ドーパント及び前記p型ドーパントが同時に注入され、平坦部がn-GaAsの電流ブロック層7,7、斜線部がp-GaAsの電流注入部8であるGaAs層が積層されている。

Claim (excerpt)：

平坦部及び傾斜部を備えた基板上に、有機金属気相成長(MOCVD)法により、夫々平坦部及び傾斜部を有する活性層及びp型クラッド層をこの順に積層し、前記活性層の傾斜部が発光部となる可視光半導体レーザにおいて、平坦部がn型キャリア濃度を有する電流ブロック層であり、傾斜部がp型キャリア濃度を有する電流注入部であるGaAs層を、前記p型クラッド層上に備えていることを特徴とする可視光半導体レーザ。