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J-GLOBAL ID：200903001665132490

パターン形成方法

Inventor： 福田 宏 ,  岡崎 信次
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993246584
Publication number (International publication number)：1995106224
Application date： Oct. 01, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【構成】有機シラン等の有機金属材料を原料とする化学気相成長法を用いて、原料の組成や成長条件を変化させながら基板上にレジスト膜を形成し、これにパターン状のエネルギ線を照射した後現像してレジストパターンを形成する。【効果】レジスト膜の深さ方向に様々な感度分布,光吸収率分布や屈折率分布を作ることにより、レジストの光吸収や下地基板からの反射の影響が低減される。

Claim (excerpt)：

有機金属材料を原料とする化学気相成長法を用いて基板上にエネルギ線感応性の薄膜を形成し、前記薄膜にパターン状のエネルギ線を照射した後、現像して前記エネルギ線照射部又は非照射部のいずれかを除去することにより薄膜パターンを形成するパターン形成方法において、前記有機金属材料原料の組成又は薄膜の成長条件を変化させながら膜形成を行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/312

FI (2)：

H01L 21/30 569 H ,  H01L 21/30 502 R