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J-GLOBAL ID：200903001665900888

半導体デバイスおよびその製造方法

Inventor： ダニエル ブレイセン ,  ユージーン アーサー フィッツジェラルド ジュニア ,  マーチン ローレンス グリーン ,  ヤーフン キー
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992122818
Publication number (International publication number)：1994252046
Application date： Apr. 17, 1992
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低レベルのスレディング転位欠陥を有する階層化GexSi1-x合金の大面積ヘテロ構造体を成長させる。【構成】 単結晶シリコン基板を準備し、その基板上に850°C以上の温度で約25%/マイクロメートル以下の勾配で増大するゲルマニウム成分をもつGexSi1-xの階層化層をエピタキシャル成長し、GexSi1-xの階層化層上に半導体材料の層をエピタキシャル成長する。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板を準備するステップと、前記シリコン基板上に、850°C以上の温度で、約25%/マイクロメートル以下の勾配で増大するゲルマニウム成分をもつGexSi1-xの階層化層をエピタキシャル成長するステップと、前記GexSi1-xの階層化層上に半導体材料の層をエピタキシャル成長するステップからなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭61-064118