アルミニウム系III族窒化物の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004303320
Publication number (International publication number)：2006114845
Application date： Oct. 18, 2004
Publication date： Apr. 27, 2006
Summary：

【課題】ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物のガス体を用いたHVPE法によるアルミニウム系III族窒化物を製造することを課題とし、長時間に渡って成長速度を維持したまま成長を続けて、効率良くアルミニウム系III族窒化物を製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】三塩化アルミニウムなどのハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物を製造する方法において、該III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとの間にアルゴンなどのバリアガスを介在させて両反応ガスを反応域に流出せしめ、次いで基板上で両反応ガスを接触させて反応させる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物を製造する方法において、該III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとの間にバリアガスを介在させて両反応ガスを反応域に流出せしめ、次いで基板上で両反応ガスを接触させて反応させることを特徴とするアルミニウム系III族窒化物の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C23C 16/455 , C30B 25/14 , C30B 29/38

FI (5)：

H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B29/38 C

F-Term (44)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077DB01 , 4G077DB05 , 4G077DB11 , 4G077EA06 , 4G077HA02 , 4G077TA04 , 4G077TA06 , 4G077TB03 , 4G077TC01 , 4G077TC03 , 4G077TG04 , 4G077TH05 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030LA14 , 5F041AA31 , 5F041CA34 , 5F041CA67 , 5F045AA03 , 5F045AB09 , 5F045AC02 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD15 , 5F045AE15 , 5F045AF09 , 5F045BB08 , 5F045CA10 , 5F045DP04 , 5F045DQ06 , 5F173AH44 , 5F173AP04 , 5F173AR92

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Al系III-V族化合物半導体の気相成長方法、Al系III-V族化合物半導体の製造方法ならびに製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-106102 Applicant：農工大ティー・エル・オー株式会社

Cited by examiner (2)

Al系III-V族化合物半導体の気相成長方法、Al系III-V族化合物半導体の製造方法ならびに製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-106102 Applicant：農工大ティー・エル・オー株式会社
複合ガス導入システムおよび方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-612540 Applicant：シービーエルテクノロジーズインコーポレイテッド, 松下電器産業株式会社

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