両極性レベルシフト回路

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997151399
Publication number (International publication number)：1998341149
Application date： Jun. 09, 1997
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】従来のレベルシフト回路は片側への電位変換回路は存在していたが、正極側と負極側の両方向に信号を同時にレベル変換する回路は無かった。またオペアンプ等を用いると常時リーク電流が流れるという課題があった。【解決手段】低電位系の電源に接続し、かつ出力端子にダイオード手段を有した低電位系信号駆動回路と、高電位系の電源に接続し、インバータ回路をたすきがけした高電位系ラッチ回路からなり、前記低電位系信号駆動回路の出力信号を前記高電位系ラッチ回路に直接加えた。【効果】高電位系ラッチ回路はインバータ回路のたすきがけで出来ているので、低電位系信号駆動回路の信号によって高電位系のラッチ回路を反転することができ、両極方向のレベル変換ができる。また、低電位系信号駆動回路の出力端子にはダイオード手段を有しているのでリーク電流が流れず、低消費電力となる。

Claim (excerpt)：

a)第1、第2、第3、第4の各電位の電源電位を有する絶縁ゲート電界効果型トランジスタ(以下MOSFETと略す)を用いた半導体集積回路装置において、b)第4電位の電源にソース電位を接続した第1、第2P型MOSFETと第1電位の電源にソース電位を接続した第1、第2N型MOSFETとからなり、前記第1P型MOSFETと第1N型MOSFETのそれぞれのゲート電極、およびドレイン電極は互いに接続され第1インバータ回路を形成し、前記第2P型MOSFETと第2N型MOSFETのそれぞれのゲート電極、およびドレイン電極は互いに接続され第2インバータ回路を形成し、該第1、第2インバータ回路の入力端子となるゲート電極と出力端子となるドレイン電極はそれぞれ互いにたすきがけに接続されている以上の構成からなる高電位系ラッチ回路と、c)第3電位の電源にソース電極を接続した第3P型MOSFETと、前記第3P型MOSFETのドレイン電極に正側の電極を接続した第1のダイオード手段と、前記第1のダイオード手段の負側の電極に正側の電極を接続した第2のダイオード手段と、前記第2のダイオード手段の負側の電極にドレイン電極を接続し、かつソース電極は第2電位の電源に接続した第3N型MOSFETとからなり、前記第3P型MOSFETと第3N型MOSFETのゲート電極は互いに接続され低電位系の信号入力端子となり、前記第1のダイオードと第2のダイオードの接続点が出力端子となっている以上の構成からなる低電位系信号駆動回路とからなり、d)前記低電位系信号駆動回路の出力端子が前記高電位系ラッチ回路の反転出力端子に接続されていることを特徴とする両極性レベルシフト回路。

IPC (2)：

H03K 19/0185 , H03K 19/0944

FI (2)：

H03K 19/00 101 C , H03K 19/094 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開平1-256214
特開平1-284112
レベル変換回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-237216 Applicant：ソニー株式会社

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