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J-GLOBAL ID：200903001687672960
半導体X線検出装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999028011
Publication number (International publication number)：1999287864
Application date： Feb. 05, 1999
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：
【要約】【課題】 光導電層内により多くの電子・ホールペアを発生させて電気信号をより多く出力できるようにする。【解決手段】 ガラス基板40と、このガラス基板40上に画素単位にX線光子を受けるために設けられた画素電極46が複数と、この画素電極46で受けたX線光子による電荷を蓄積するために画素電極46毎に設けられたコンデンサ24と、このコンデンサ24に蓄積された電荷を読み出し制御するトランジスタ26と、このトランジスタ26、コンデンサ24及び画素電極46上を覆うように設けられた光導電層57と、この光導電層57上を覆うように設けられた電界発生用の電極60とを備え、光導電層57の前面側に所定厚みの鉛箔板10が設けられ、その後面側に所定厚みの鉛箔板20が設けられる。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に画素単位にX線光子を受けるために設けられた画素電極が複数と、前記画素電極で受けた前記X線光子による電荷を蓄積するために前記画素電極毎に設けられた容量と、前記容量に蓄積された電荷を読み出し制御するトランジスタと、前記トランジスタ、容量及び画素電極上を覆うように設けられた光導電層と、前記光導電層上を覆うように設けられた電界発生用の電極とを備え、前記光導電層の前面側及び後面側に所定厚みの板状の鉛部材が設けられることを特徴とする半導体X線検出装置。
IPC (2)：
FI (2)：
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