メモリモジュール

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005121210
Publication number (International publication number)：2006301863
Application date： Apr. 19, 2005
Publication date： Nov. 02, 2006
Summary：

【課題】メモリチップの機種に対応して動作を切換可能なメモリモジュールを提供する。【解決手段】インターフェースチップおよびインターポーザチップを電気的に接続するための中継配線を有し、インターフェースチップとインターポーザチップとの間に設けられたメモリコアチップ10a〜10dと、メモリコアチップの機種情報を中継配線を介してインターフェースチップに送出するインターポーザチップ40と、インターポーザチップから受信する機種情報に対応してメモリコアチップを制御するインターフェースチップ30とを有する構成である。【選択図】図1

Claim 1：

情報を格納するためのメモリコアチップと該メモリコアチップのデータの入出力を制御するインターフェースチップと該インターフェースチップと外部との間で前記データを送受信するインターポーザチップとを有するメモリモジュールにおいて、前記メモリコアチップは、前記インターフェースチップと前記インターポーザチップとの間に設けられ、該インターフェースチップおよび該インターポーザチップを電気的に接続するための中継配線を有し、前記インターポーザチップは、前記メモリコアチップの機種情報を前記中継配線を介して前記インターフェースチップに送出し、前記インターフェースチップは、前記インターポーザチップから受信する前記機種情報に対応して前記メモリコアチップを制御することを特徴とするメモリモジュール。

IPC (4)：

G06F 12/06 , H01L 25/18 , H01L 25/07 , H01L 25/065

FI (3)：

G06F12/06 521H , G06F12/06 510B , H01L25/08 Z

F-Term (2)：

5B060MB08 , 5B060MM07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

半導体集積回路およびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-078431 Applicant：日本電気株式会社
メモリモジュール及びメモリシステム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-115834 Applicant：エルピーダメモリ株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-055630 Applicant：株式会社日立製作所, エルピーダメモリ株式会社

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