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J-GLOBAL ID:200903001693616990
液晶スイッチング素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小池 晃 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994265933
Publication number (International publication number):1996129161
Application date: Oct. 31, 1994
Publication date: May. 21, 1996
Summary:
【要約】【目的】 液晶分子の自発分極方向を反転させる際に、ドメイン生成を伴わず、かつ高速なスイッチング動作を実現する液晶スイッチング素子を提供する。【構成】 基板1及び基板2の間に強誘電性液晶層3があり、また、基板1の表面に対向電極5及び補助電極6が、基板2の表面に主電極4が貼着されている。なお、後に基板1と基板2との間に注入される強誘電性液晶分子が均一に配向するように、例えば、基板の表面を布で擦るラビング処理等の適当な処理を基板1及び基板2に施してから、基板1及び基板2を所定の位置に固定し貼り合わせる。また、強誘電性液晶層3は、SmC* 相を形成する強誘電性液晶分子、例えば、DOBAMBCを用いる。なお、強誘電性液晶層3の層構造は、図面に対して平行になるように配向させる。
Claim (excerpt):
強誘電性液晶分子に電圧を印加し、この液晶分子の自発分極方向を反転させてスイッチング動作を行う液晶スイッチング素子において、上記強誘電性液晶分子が均一な状態で配向した液晶層と、上記液晶層を挟む一対の電極と、上記一対の電極の一方の電極と同一面上に設けられた電極と、を有することを特徴とする液晶スイッチング素子。
IPC (3):
G02F 1/133 560
, G02F 1/141
, G09G 3/18
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