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J-GLOBAL ID：200903001697051190

Al合金系ターゲットおよびその製造方法

Inventor： 高島 洋
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997211327
Publication number (International publication number)：1999043765
Application date： Jul. 22, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 共晶組織形成可能元素を含有するAl合金ターゲットにおいて欠陥が著しく少ない、すなわちスプラッシュの発生を防止できるターゲットを提供することにある。【解決手段】 本発明はAl相と、AlとAlとの共晶組織形成可能元素で構成される共晶組織相とからなるミクロ組織からなるAl合金ターゲットである。好ましくは、Alとの共晶組織形成可能元素1種以上を含有するAl合金において、共晶組織相とAl相からなるミクロ組織を有し、前記共晶組織の最大長径が200μm以下になるよう調整する。

Claim 1：

Al相と、AlとAlとの共晶組織形成可能元素で構成される共晶組織相とからなるミクロ組織からなることを特徴とするAl合金系ターゲット。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/43

FI (3)：

C23C 14/34 A ,  H01L 21/285 S ,  H01L 29/46 L