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J-GLOBAL ID：200903001699478034

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 古屋 博之 ,  横川 俊哉 ,  出口 正洋 ,  吉井 重雄 ,  鈴木 朝実良
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002072538
Publication number (International publication number)：2003273130
Application date： Mar. 15, 2002
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：

【要約】【課題】 良好な動作特性を有する化合物半導体の半導体装置を提供する。【解決手段】 基板1の上に、高抵抗層2と、SiドープGaAsであるチャネル層3と、アンドープGaAsである高抵抗層4と、SiドープGaAsであるコンタクト層5とからなるメサ部が形成されている。メサ部の中央部では、コンタクト層5がエッチング除去され、高抵抗層4が露出している。露出する高抵抗層4の上には、ゲート電極8が形成され、リセス構造になっている。コンタクト層5の上からメサ部の側面上に亘って、ソース電極層6およびドレイン電極層7が形成されている。コンタクト層5のうちソース電極層6およびドレイン電極層7が形成されていない領域の上と高抵抗層2の上とは、パッシベーション層9a,9bにより覆われている。パッシベーション層9a,9bがシリコン酸窒化膜からなることにより、デバイスに与えるひずみを小さくすることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、上記半導体基板上に形成され,活性領域を有する化合物半導体層と、上記化合物半導体層内の上記活性領域の上方に位置する領域に形成され,シリコン,酸素および窒素を含む絶縁膜とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/812

FI (4)：

H01L 29/80 Q ,  H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/78 301 B

F-Term (35)：

5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL05 ,  5F102GM05 ,  5F102GM07 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR15 ,  5F102GT03 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC24 ,  5F140AA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA09 ,  5F140BA10 ,  5F140BB06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD09 ,  5F140BD10 ,  5F140BE02 ,  5F140BE10