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J-GLOBAL ID:200903001702222321
物品を制御可能に加熱するための加熱装置及びその加熱方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
谷 義一
, 阿部 和夫
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003541310
Publication number (International publication number):2005508097
Application date: Oct. 24, 2002
Publication date: Mar. 24, 2005
Summary:
物品を制御可能に加熱する加熱装置は、物品を保持する処理チャンバを構成し、ハウジング及びEMF発生器を備えている。ハウジングは処理チャンバの少なくとも一部を取り囲むサセプタ部分と、サセプタ部分と処理チャンバの間に挿入された導体部分を有している。EMF発生器は、サセプタ部分内では渦電流を誘導させ、導体部分では実質上いかなる渦電流も誘導されないように動作可能である。導体部分は、熱をサセプタ部分から処理チャンバへ伝導させるように動作する。加熱装置は、さらにプラッタと、導体部分内に形成された開口部とを有し、開口部はサセプタ部分とプラッタの間に挿入されている。
Claim (excerpt):
物品を制御可能に加熱するための加熱装置であって、前記加熱装置は前記物品を保持する処理チャンバを構成し、
a)前記処理チャンバの少なくとも一部分を取り囲むサセプタ部分と、
該サセプタ部分と前記処理チャンバの間に挿入された導体部分とを有するハウジングと、
b)前記導体部分では実質上いかなる渦電流も誘導されないように、前記サセプタ部分内に渦電流を誘導させるよう動作可能なEMF発生器とを備え、
c)前記導体部分は、前記サセプタ部分から前記処理チャンバへ熱を伝導させるように動作することを特徴とする加熱装置。
IPC (2):
FI (2):
H01L21/205
, H05B6/10 331
F-Term (13):
3K059AA08
, 3K059AB26
, 3K059AC10
, 3K059AC54
, 3K059AD05
, 3K059CD72
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045BB16
, 5F045DP15
, 5F045DQ10
, 5F045EK03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
気相エピタキシャル成長装置および成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-250675
Applicant:日立電線株式会社
-
デバイスなどの物体をエピタキシャル成長させる装置用のサセプタ
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平9-530071
Applicant:エービービーリサーチリミテッド
-
CVDコーティング装置
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-522573
Applicant:アイクストロンアーゲー
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