Pat
J-GLOBAL ID:200903001710863735
混晶化二酸化チタン、多層膜構造体、及び素子構造
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004046540
Publication number (International publication number):2005231979
Application date: Feb. 23, 2004
Publication date: Sep. 02, 2005
Summary:
【課題】コバルトドープ二酸化チタン膜の格子定数が近接し、互いのエピタキシャル成長を阻害しない半導体層又は絶縁層として機能する新規な化合物を提供する。【解決手段】二酸化チタンに対して、二酸化ハフニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化ゲルマニウム及び二酸化スズから選ばれる少なくとも一種の混晶物質を混晶化して、混晶化二酸化チタンを形成する。【選択図】なし
Claim (excerpt):
二酸化チタンに対して、二酸化ハフニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化ゲルマニウム及び二酸化スズから選ばれる少なくとも一種の混晶物質を混晶化したことを特徴とする、混晶化二酸化チタン。
IPC (9):
C01G25/00
, C01G27/00
, H01F10/16
, H01F10/193
, H01F41/30
, H01L27/105
, H01L29/78
, H01L29/82
, H01L43/08
FI (10):
C01G25/00
, C01G27/00
, H01F10/16
, H01F10/193
, H01F41/30
, H01L29/82 Z
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
, H01L29/78 301B
, H01L29/78 301J
F-Term (20):
4G048AA03
, 4G048AB01
, 4G048AC04
, 4G048AD02
, 4G048AE05
, 5E049AB10
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049BA25
, 5E049CB01
, 5E049DB04
, 5E049GC08
, 5F083FZ10
, 5F140AA00
, 5F140BA12
, 5F140BD11
, 5F140BE10
, 5F140BF05
, 5F140BJ01
, 5F140BJ05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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セラミックス複合ナノ構造体とその組成物並びにその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-039263
Applicant:科学技術振興事業団
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特開昭62-177502
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組成物の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-310593
Applicant:堺化学工業株式会社
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Cited by examiner (8)
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Article cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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