Pat
J-GLOBAL ID:200903001711005155

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 篠部 正治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998206124
Publication number (International publication number):2000040832
Application date: Jul. 22, 1998
Publication date: Feb. 08, 2000
Summary:
【要約】【課題】急峻な跳ね上がり電圧を抑制できるソフトリカバリー特性を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】n- 半導体基板100の一方の主面の表面層にp+ 領域2を形成し、他方の主面の表面層にn+ 領域3を形成する。このp+ 領域2とn+ 領域3およびp+ 領域2とn+ 領域3に挟まれたn- 基板領域1で、ダイオードが形成される。このダイオードのn- 基板領域の幅Wを、(VA +VR )/18≦W≦(VA +VR )/15〔ただし、VA は素子のアバランシェ電圧(単位はV)、VR は定格電圧(単位はV)である。〕とし、n- 基板領域の比抵抗(単位はΩ・cm)をW2 /(0.29×VR )≦ρ≦W2 /(0.25×VR )〔ただし、Wはn- 基板領域の厚さ(単位は×10-6m)、VR は定格電圧(単位はV)である。〕とする。
Claim (excerpt):
低濃度の第1導電形半導体基板の一方の主面の表面層に形成された第2導電形半導体領域と、他方の主面の表面層に形成された高濃度の第1導電形半導体領域と、前記第2導電形半導体領域と前記高濃度の第1導電形半導体領域に挟まれた第1導電形半導体基板領域とを備える半導体装置において、定格電圧で前記半導体基板領域に広がる空乏層の先端が前記高濃度の第1導電形領域に達することを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平1-258476
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-341462   Applicant:宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
  • 半導体素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-078385   Applicant:富士電機株式会社
Show all

Return to Previous Page