Pat
J-GLOBAL ID：200903001711792076
半導体ウエーハ平面化方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276855
Publication number (International publication number)：1993251409
Application date： Oct. 15, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明の目的は、半導体ウエーハを機械的に平面化した後に、研磨用スラリを除去するプロセスを提供することである。【構成】 表面活性剤を含む脱イオン水を研磨用パッドに注いで機械的に平面化した半導体ウエーハをすすぎ洗いする段階と、半導体ウエーハに脱イオン水/表面活性剤混合体を注ぎつつ研磨用パッドに下向きの力を加えて半導体ウエーハの平面化された表面を研磨する段階とを具備する。
Claim (excerpt)：
半導体ウエーハの機械的平面化の後のスラリ研磨粒子残留物を除去する方法であって、表面活性剤を含む脱イオン水を研磨用パッドに注いですすぎ洗いする段階と、このパッド及び脱イオン水/表面活性剤混合体を用いて半導体ウエーハの平面化された表面を研磨する段階とを具備することを特徴とする方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/04
