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J-GLOBAL ID：200903001714585810

大容量メモリ対応リダンダンシ装置及び大容量メモリ対応リダンダンシ方法

Inventor： 手塚 実良
Applicant, Patent owner： 安藤電気株式会社
Agent (1)： 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997095902
Publication number (International publication number)：1998289163
Application date： Apr. 14, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低容量の2次フェイルメモリを使用して、大容量のメモリデバイスのリダンダンシ演算が可能なメモリデバイス対応リダンダンシ装置及びリダンダンシ方法を提供する。【解決手段】 CPU2内のSFM4のデータ構成をフェイルの有無の情報のみとして、SFM4に必要となるメモリ容量を減らし、演算に必要となるフェイルセル情報をメモリ3内のレジスタの情報を用いて演算を行う。

Claim 1：

フェイルメモリに格納されたフェイル情報を演算ブロック単位毎に、2次フェイルメモリに2次フェイルメモリデータとしてプロットし、当該2次フェイルメモリデータに基づいて、セルフェイル情報を作成してレジスタに格納し、当該セルフェイル情報に基づいて演算して当該フェイルメモリのリペア可/リペア不可を判断する大容量メモリ対応リダンダンシ装置において、前記フェイルメモリのフェイルの有無のみを示す情報を、前記2次フェイルメモリの所定領域に前記2次フェイルデータとしてプロットすることを特徴とする大容量メモリ対応リダンダンシ装置。

IPC (2)：

G06F 12/16 310 ,  G06F 12/16 330

FI (2)：

G06F 12/16 310 R ,  G06F 12/16 330 D