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J-GLOBAL ID：200903001718109479

半導体レーザ素子

Inventor： 田中 俊明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993071518
Publication number (International publication number)：1994283812
Application date： Mar. 30, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 光吸収が非常に小さい垂直共振器構造を作製した多波長面発光型半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体基板1上に、禁制帯幅の小さい発光活性層4とそれを挟む禁制帯幅の大きい光導波層3,5との組合せを縦に少なくとも2組以上積層した、波長の異なる多波長レーザ光源であり、かつ該発光活性層の禁制帯幅が基板より小さいときには、基板から上に積層するほど活性層の禁制帯幅を小さくし上側ほど波長の長いレーザ光を出射するように設定し、基板側からレーザ光を取り出す高反射膜を積層した垂直共振器構造とし、或いは基板上に積層する発光活性層の禁制帯幅が基板より大きいときには、基板から上に積層するほど活性層の禁制帯幅を大きくし、上側ほど発振波長の短いレーザ光を出射するように設定し、基板とは反対側からレーザ光を取り出す高反射膜を積層した垂直共振器構造とする面発光型多波長レーザ光源を同一基板上に有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、禁制帯幅の小さい発光活性層とそれを挾む禁制帯幅の大きい光導波層との組合せを縦に少なくとも2組以上積層した、発振波長の異なる多波長レーザ光源であり、かつ該発光活性層の禁制帯幅が該半導体基板より小さいときには、該半導体基板から上に積層するほど該発光活性層の禁制帯幅を小さくし上側ほど発振波長の長いレーザ光を出射するように設定し、該半導体基板側からレーザ光を取り出す高反射膜を積層した垂直共振器構造とし、或いは該半導体基板上に積層する該発光活性層の禁制帯幅が該半導体基板より大きいときには、該半導体基板から上に積層するほど該発光活性層の禁制帯幅を大きくし、上側ほど発振波長のより短いレーザ光を出射するように設定し、該半導体基板とは反対側からレーザ光を取り出す高反射膜を積層した垂直共振器構造とする面発光型多波長レーザ光源を同一基板上に有することを特徴とする半導体レーザ素子。