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J-GLOBAL ID：200903001720826285
集積化光電変換装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999163798
Publication number (International publication number)：2000353817
Application date： Jun. 10, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：
【要約】【課題】 少ない工程数、低コストで精度よく製造され得るとともに、高性能である、結晶質シリコンを光電変換層に用いた集積化光電変換装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 基板、電極層と、結晶質半導体層を含む薄膜光電変換ユニット、および第1の透明導電層を具備する積層構造を有し、電極層はセルごとに複数に分割されており、積層構造にはセルごとに第1の透明導電層表面から電極層に達する接続孔が設けられ、積層構造上には接続孔内を埋めるように透明導電性材料が堆積されて、電極層に接続された、第1の透明導電層よりも膜厚の厚い第2の透明導電層が形成され、セルごとに第2の透明導電層表面から薄膜光電変換ユニットの上部にかけて分離溝が設けられていることを特徴とする。
Claim 1：
基板と、この基板上に形成された電極層と、この電極層上に形成された結晶質半導体層を含む薄膜光電変換ユニットと、この薄膜光電変換ユニット上に形成された第1の透明導電層とを具備する積層構造を有し、前記電極層はセルごとに複数に分割されており、前記積層構造にはセルごとに前記第1の透明導電層表面から前記電極層に達する接続孔が設けられ、前記積層構造上には前記接続孔内を埋めるように透明導電性材料が堆積されて、前記電極層に接続された、前記第1の透明導電層よりも膜厚の厚い第2の透明導電層が形成され、セルごとに前記第2の透明導電層表面から前記薄膜光電変換ユニットの上部にかけて分離溝が設けられていることを特徴とする集積化光電変換装置。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 31/04 C
, H01L 31/04 H
, H01L 31/04 A
5F051BA14
, 5F051CB21
, 5F051CB27
, 5F051CB28
, 5F051EA03
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA18
